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MYW10

MYW10

MYS 系列- MYW10 等离子系统

实现高柔性、高产能的Wafer表面处理制程


随着电子装配和半导体市场的快速发展,整个工业对生产效率及可靠度的要求也不断提升。MYS 系列清洁设备通过消除传统真空式等离子体处理的等待时间,带来巨大产能和整体良率提升,同时能确保安全地处理所有敏感性电子元件。


产品特性

MYW10 等离子系统实现高柔性、高产能的Wafer表面处理制程


• 常压式氩气等离子系统

• 100mm宽等离子在线式批量处理,相比传统方式效率提升2-5倍,使用成本降低30%以上 

• 100%中性等离子,对敏感电子元器件,不产生等离子轰击、静电、火花、电弧、粉尘、高温、水波纹、紫外线, 不会对产品带来任何伤害,更为安全友好

• 多种化学制程:O2制程去除有机污染物,H2制程去除金属氧化物,活化产品表面

• 不会对Wafer产生颗粒污染和表面粗糙度变化

• 可兼容Wafer和Tape frame的生产以及两者快速切换

• 满足Class10级无尘和SEMI标准


MYW10 应用900x.jpg

规格参数


基本参数

MYW10

用电需求

AC 380V, 13kW, 17A, 50/60Hz

气压需求

90psi(6bar)

外形尺寸

2000*2800*2200mm

重量

2200kg

认证标准

SEMI S2/S6/S8

定位精度

XY: ± 20 um@3 σ Z: ± 10um@3 σ

XYZ轴重复精度

XY: ± 10um@3 σ Z: ± 5um@3 σ

最大速度

1000mm/s(XY)

加速度

1.0g

驱动系统

AC servo

工作平台参数

上下料形式

OHT+Load port+机械手

机械手承重

3KG

适用Wafer晶圆尺寸

12寸 (300mm)

软件操作系统

Windows 10

X/Y行程

400mm/500mm

Z轴行程

20mm

通讯协议

SMEMA

工作范围

等离子处理范围(W*D)

300*300mm

等离子处理后接触角 (WCA)

WCA<10° (Wafer)

等离子处理方式

O2制程去除有机污染物

H2制程去除金属氧化物

等离子系统设备需求

RF功率

600W at 27.12MHz

主要等離子气体

Argon

制程气体

O2, N2, or H2 (Other upon testing)

气源压力范围

40~100psi (0.3~0.7MPa)



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